隨著元器件測試市場的需求，熱循環(huán)測試儀的推動也在不斷進步，無錫冠亞熱循環(huán)測試儀的性能也在不斷的進步，那么，對于熱循環(huán)測試儀，以前不太關注的話，現(xiàn)在也必須考慮好。

　　熱循環(huán)測試儀電性優(yōu)化的目的，本質上來說就是提升傳輸效率，減少傳輸損耗。過去我們優(yōu)化設計主要著眼于系統(tǒng)和PCB這個別，很少觸及到封裝和芯片。這個別的仿真優(yōu)化，主要集中在器件引腳、過孔、接插件等結構不連續(xù)的地方。熱循環(huán)測試儀中芯片封裝是芯片到PCB的過渡，這里的信號傳輸路徑處處存在著不連續(xù)，優(yōu)化這些結構上的不連續(xù)點，使其保持電性上的連續(xù)，減少信號的反射，就是封裝SI優(yōu)化的目的。

　　熱循環(huán)測試儀的優(yōu)化，主要涉及到信號和回流地的布置，金線的長度、直徑、線型、線數(shù)等。這里只對其他幾個參數(shù)再做討論。熱循環(huán)測試儀從芯片鍵合到載板，端口1設在芯片端，CPW結構，阻抗50Ohm，端口2設在載板端，GCPW結構，阻抗50Ohm，分別調整線徑，線型、線數(shù)三個因子，仿真頻率掃描0～40Ghz，后處理對比S21和S11參數(shù)。

　　熱循環(huán)測試儀金線直徑越大，傳輸特性越好，鍵合線弧度越低，傳輸特性越好，雙線鍵合，傳輸特性優(yōu)于單線鍵合。對于高頻應用，僅僅通過調整以上參數(shù)來優(yōu)化傳輸特性，依然滿足不了應用，鍵合線匹配就派上了用場。由于整個鍵合結構在一定頻率范圍內可以等效為電感，這樣我們就可根據(jù)射頻理論進行阻抗匹配。對比鍵合線匹配前后的傳輸特性，可以看出匹配在感興趣的頻段內，大大的優(yōu)化了傳輸特性。

　　對于熱循環(huán)測試儀的性能，討論了其相關使用以及配置之后，對于熱循環(huán)測試儀相關特點了解之后再進行使用比較好。（本文來源網絡，如有侵權，請聯(lián)系刪除，謝謝。）