半導體晶片溫度控制是目前針對半導體行業所推出的控溫設備，無錫冠亞半導體晶片溫度控制采用全密閉循環系統進行制冷加熱，制冷加熱的溫度不同，型號也是不同，同時，在選擇的時候，也需要注意制冷原理。

　　半導體晶片溫度控制制冷系統運行中是使用某種工質的狀態轉變，從較低溫度的熱源汲取必需的熱量Q0，通過一個消費功W的積蓄過程，向較熱帶度的熱源發出熱量Qk。在這一過程中，由能量守恒取 Qk=Q0 + W。為了實現半導體晶片溫度控制能量遷移，之初強制有使制冷劑能達到比低溫環境介質更低的溫度的過程，并連續不斷地從被冷卻物體汲取熱量，在制冷技巧的界線內，實現這一過程有下述幾種根基步驟:相變制冷:使用液體在低溫下的蒸發過程或固體在低溫下的消溶或升華過程向被冷卻物體汲取熱量。平常空調器都是這種制冷步驟。氣體膨脹制冷:高壓氣體經絕熱膨脹后可達到較低的溫度，令低壓氣體復熱可以制冷。氣體渦流制冷:高壓氣體通過渦流管膨脹后可以分別為熱、冷兩股氣流，使用涼氣流的復熱過程可以制冷。熱電制冷:令直流電通過半導體熱電堆，可以在一端發生冷效應，在另一端發生熱效應。

　　半導體晶片溫度控制在運行過程中，高溫時沒有導熱介質蒸發出來，而且不需要加壓的情況下就可以實現-80～190度、-70～220度、-88～170度、-55～250度、-30～300度連續控溫。半導體晶片溫度控制的原理和功能對使用人員來說有諸多優勢： 因為只有膨脹腔體內的導熱介質才和空氣中的氧氣接觸（而且膨脹箱的溫度在常溫到60度之間），可以達到降低導熱介質被氧化和吸收空氣中水分的風險。

　　半導體晶片溫度控制中制冷原理上如上所示，用戶在操作半導體晶片溫度控制的時候，需要注意其制冷的原理，在了解之后更好的運行半導體晶片溫度控制。